半导体光刻用反渗透设备

半导体光刻用反渗透设备

该反渗透设备专为半导体光刻工序设计,提供超高纯度、无杂质、无离子的光刻用水,适配深紫外光刻、极紫外光刻等高端光刻工艺,解决光刻过程中水中微量杂质导致的光刻胶失效、线路模糊、芯片缺陷等问题,满足光刻工序...

基础参数:

流量:0.5-50T/H 原水泵功率:0.55-18.5KW 砂滤罐直径:250-3000mm 炭滤罐直径:250-3000mm 阻垢剂药箱:40-500L 高压泵功率:1.1-45KW 管路材质:UPVC,不锈钢 精密过滤器芯数:3-65芯

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产品介绍

反渗透设备专为半导体光刻工序设计,提供超高纯度、无杂质、无离子的光刻用水,适配深紫外光刻、极紫外光刻等高端光刻工艺,解决光刻过程中水中微量杂质导致的光刻胶失效、线路模糊、芯片缺陷等问题,满足光刻工序的电子级超纯水标准,助力提升光刻精度与芯片良品率,适配高端半导体芯片生产。

工作原理

采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+抛光混床+超滤”组合工艺,原水经预处理系统去除泥沙、悬浮物、余氯、有机物等杂质;一级RO与二级RO系统逐步去除水中离子、大分子杂质,提升水质纯度;EDI深度除盐系统降低电导率,抛光混床进一步提纯,去除微量残留离子;超滤系统拦截微量颗粒物和微生物,最终产出超高纯度光刻用水;设备通过PLC智能控制系统,实现全流程自动化运行,实时监测水质指标,确保出水水质稳定,满足光刻工序的严苛要求。

技术参数

1.  产水量:6-50m³/h(可定制); 2.  出水水质:电导率≤0.04μS/cm,电阻率≥18.2MΩ·cm,SiO₂≤3μg/L,颗粒物(≥0.1μm)≤1个/mL; 3.  反渗透膜:进口陶氏CPA3-LD,脱盐率≥99.9%; 4.  操作压力:1.3-1.7MPa; 5.  进水要求:浊度≤0.2NTU,SDI≤2,余氯≤0.05mg/L,水温15-35℃; 6.  运行功率:18-130kW(根据产水量定制); 7.  控制方式:PLC全自动控制,支持远程监控、水质在线监测、故障自动停机保护。


性能优势

1.  出水纯度极高,达到电子级超纯水标准,无离子、有机物、颗粒物残留,确保光刻精度,减少芯片缺陷; 2.  多级提纯工艺,水质稳定性极强,可长期保持出水指标达标,适配光刻工序连续生产需求; 3.  采用进口核心部件,运行效率高,抗污染能力强,使用寿命长,降低后期运维成本; 4.  全自动运行,无需人工值守,配备自动反洗、在线监测、故障报警等功能,运维便捷; 5.  水回收率高(≥75%),能耗低,契合半导体行业绿色生产、节能降耗要求; 6.  设备适配光刻车间洁净环境,结构紧凑,耐腐蚀、抗干扰,运行稳定,故障率低; 7.  模块化设计,可根据光刻产能提升灵活扩容,适配企业高端芯片生产升级需求。

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