半导体外延片生产用反渗透设备

半导体外延片生产用反渗透设备

该反渗透设备聚焦半导体外延片生产工序,提供超高纯度生产用水,适配硅外延片、砷化镓外延片等各类外延片生产,解决外延片生长过程中水中微量杂质导致的晶体缺陷、外延层不均匀等问题,满足外延片生产的电子级超纯水...

基础参数:

流量:0.5-50T/H 原水泵功率:0.55-18.5KW 砂滤罐直径:250-3000mm 炭滤罐直径:250-3000mm 阻垢剂药箱:40-500L 高压泵功率:1.1-45KW 管路材质:UPVC,不锈钢 精密过滤器芯数:3-65芯

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产品介绍

反渗透设备聚焦半导体外延片生产工序,提供超高纯度生产用水,适配硅外延片、砷化镓外延片等各类外延片生产,解决外延片生长过程中水中微量杂质导致的晶体缺陷、外延层不均匀等问题,满足外延片生产的电子级超纯水标准,助力提升外延片质量,适配高端半导体器件生产需求。

设备适配半导体外延片生产的严苛要求,接触水体部件均采用高纯度防腐材质,无杂质析出,契合半导体行业洁净生产标准,适配无尘车间环境。预处理系统采用多级过滤工艺,高效去除水中悬浮物、重金属等杂质,避免污染反渗透膜;核心搭载半导体专用反渗透膜,脱盐率高,能深度去除水中盐分、有害杂质,产出水质符合外延片生产的高纯度要求。
设备采用模块化设计,体积紧凑,适配车间布局,支持自动运行与实时水质监测,无需专业运维人员值守,可根据生产规模灵活调整产水能力,完美适配外延片生产全流程用水需求,为外延片生产精度和产品质量提供可靠保障。


工作原理

采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+抛光混床”组合工艺,原水经预处理系统去除泥沙、悬浮物、余氯、有机物等杂质;一级RO与二级RO系统逐步去除水中离子、大分子杂质,提升水质纯度;EDI深度除盐系统降低电导率,抛光混床进一步提纯,去除微量残留离子,最终产出超高纯度纯水;设备通过PLC智能控制系统,实现全流程自动化运行,实时监测水质指标,确保出水水质稳定,满足外延片生长的严苛要求。

技术参数

1.  产水量:5-45m³/h(可定制); 2.  出水水质:电导率≤0.05μS/cm,电阻率≥18.2MΩ·cm,SiO₂≤5μg/L,颗粒物(≥0.1μm)≤1个/mL; 3.  反渗透膜:进口陶氏BW30-400IG,脱盐率≥99.9%; 4.  操作压力:1.2-1.6MPa; 5.  进水要求:浊度≤0.3NTU,SDI≤2,余氯≤0.05mg/L,水温15-35℃; 6.  运行功率:15-110kW(根据产水量定制); 7.  控制方式:PLC全自动控制,支持远程监控、水质在线监测、故障自动报警。

性能优势

1.  出水纯度极高,达到电子级超纯水标准,有效避免杂质影响外延片晶体生长,提升外延片质量与合格率; 2.  多级提纯工艺,水质稳定性强,可长期保持出水指标达标,适配外延片连续生产需求; 3.  采用进口核心部件(反渗透膜、EDI模块),运行效率高,使用寿命长,降低后期运维成本; 4.  全自动运行,无需人工值守,配备自动反洗、停机保护等功能,运维便捷; 5.  水回收率高(≥75%),能耗低,契合半导体行业绿色生产、节能降耗要求; 6.  设备抗干扰能力强,适配外延片生产车间的洁净环境,运行稳定,故障率低; 7.  模块化设计,可根据外延片产能提升灵活扩容,适配企业产能升级需求。

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