该反渗透设备聚焦半导体晶圆清洗工序,提供高纯度、无残留的清洗用水,适配8英寸、12英寸晶圆的清洗需求,解决清洗过程中水中杂质残留导致的晶圆表面划伤、电路短路等问题,确保晶圆表面洁净度,为后续光刻、封装...
基础参数:
该反渗透设备聚焦半导体晶圆清洗工序,提供高纯度、无残留的清洗用水,适配8英寸、12英寸晶圆的清洗需求,解决清洗过程中水中杂质残留导致的晶圆表面划伤、电路短路等问题,确保晶圆表面洁净度,为后续光刻、封装工序奠定基础,适配半导体晶圆规模化生产场景。
设备针对半导体晶圆清洗的严苛要求优化设计,接触水体的核心部件均采用电子级防腐材质,无任何杂质析出,完全契合半导体洁净生产标准,避免对晶圆表面造成污染,保障晶圆的电气性能和使用寿命。
预处理系统采用多级精密过滤工艺,依次完成杂质过滤、余氯去除、硬度软化等处理,高效去除水中的悬浮物、胶体、有机物及重金属离子,防止杂质堵塞反渗透膜,同时适配不同批次晶圆清洗的水质需求,确保进水水质稳定,为深度净化奠定基础。
采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+紫外线消毒”组合工艺,原水经预处理去除泥沙、悬浮物、余氯等大颗粒杂质,进入一级反渗透系统去除大部分离子和有机物;二级反渗透进一步提升水质纯度,去除微量残留杂质;EDI深度除盐系统降低水中电导率,紫外线消毒去除水中微生物,最终产出高纯度清洗用水;设备通过PLC智能控制,实现进水、过滤、反洗、产水全流程自动化,确保出水水质均匀稳定,满足晶圆清洗的严苛要求。
1. 产水量:3-30m³/h(可定制); 2. 出水水质:电导率≤0.06μS/cm,电阻率≥18MΩ·cm,SiO₂≤10μg/L,颗粒物(≥0.1μm)≤1个/mL; 3. 反渗透膜:进口陶氏BW30-400FR,脱盐率≥99.85%; 4. 操作压力:1.2-1.6MPa; 5. 进水要求:浊度≤0.5NTU,SDI≤3,余氯≤0.05mg/L,水温10-40℃; 6. 运行功率:10-80kW(根据产水量定制); 7. 控制方式:PLC全自动控制,支持自动反洗、在线水质监测、故障自动停机
1. 出水洁净度高,无离子、有机物残留,避免晶圆清洗后表面产生污渍、划痕,提升晶圆清洗合格率; 2. 针对性适配晶圆清洗场景,水流稳定,可根据清洗工序需求调整出水流量,适配不同规格晶圆清洗; 3. 反渗透膜抗污染能力强,不易堵塞,反洗频率低,减少运维工作量,保障连续生产; 4. 全流程自动化控制,在线监测水质指标,出现异常自动报警,运维便捷,降低人工成本; 5. 能耗低,水回收率≥75%,大幅减少水资源浪费,契合半导体行业绿色生产要求; 6. 设备运行稳定,故障率低,可24小时连续运行,适配晶圆规模化生产节奏; 7. 模块化设计,后期可根据产能提升灵活扩容,适配企业产能升级需求。
反渗透设备主打工业废水浓缩减量处理,将大量废水进行浓缩,最大限度提取清水回用,把污染物高度浓缩,大幅减少废水体积,降低危废、废水处置成本,助力企业实现环保减排,解决废水处置难题。
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反渗透设备用于废旧金属、废旧塑料回收清洗废水处理,去除水中油污、泥沙、重金属、塑料残渣、清洗剂,净化清洗废水,清水回用于废料清洗、冲刷,实现废旧回收行业废水回用,减少污水排放,践行绿色回收理念。
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