该反渗透设备聚焦半导体晶圆清洗工序,提供高纯度、无残留的清洗用水,适配8英寸、12英寸晶圆的清洗需求,解决清洗过程中水中杂质残留导致的晶圆表面划伤、电路短路等问题,确保晶圆表面洁净度,为后续光刻、封装...
基础参数:
采用“预处理+一级RO+二级RO+EDI+紫外线消毒”组合工艺,原水经预处理去除泥沙、悬浮物、余氯等大颗粒杂质,进入一级反渗透系统去除大部分离子和有机物;二级反渗透进一步提升水质纯度,去除微量残留杂质;EDI深度除盐系统降低水中电导率,紫外线消毒去除水中微生物,最终产出高纯度清洗用水;设备通过PLC智能控制,实现进水、过滤、反洗、产水全流程自动化,确保出水水质均匀稳定,满足晶圆清洗的严苛要求。
1. 产水量:3-30m³/h(可定制); 2. 出水水质:电导率≤0.06μS/cm,电阻率≥18MΩ·cm,SiO₂≤10μg/L,颗粒物(≥0.1μm)≤1个/mL; 3. 反渗透膜:进口陶氏BW30-400FR,脱盐率≥99.85%; 4. 操作压力:1.2-1.6MPa; 5. 进水要求:浊度≤0.5NTU,SDI≤3,余氯≤0.05mg/L,水温10-40℃; 6. 运行功率:10-80kW(根据产水量定制); 7. 控制方式:PLC全自动控制,支持自动反洗、在线水质监测、故障自动停机
1. 出水洁净度高,无离子、有机物残留,避免晶圆清洗后表面产生污渍、划痕,提升晶圆清洗合格率; 2. 针对性适配晶圆清洗场景,水流稳定,可根据清洗工序需求调整出水流量,适配不同规格晶圆清洗; 3. 反渗透膜抗污染能力强,不易堵塞,反洗频率低,减少运维工作量,保障连续生产; 4. 全流程自动化控制,在线监测水质指标,出现异常自动报警,运维便捷,降低人工成本; 5. 能耗低,水回收率≥75%,大幅减少水资源浪费,契合半导体行业绿色生产要求; 6. 设备运行稳定,故障率低,可24小时连续运行,适配晶圆规模化生产节奏; 7. 模块化设计,后期可根据产能提升灵活扩容,适配企业产能升级需求。
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