电子芯片生产用反渗透设备

电子芯片生产用反渗透设备

该反渗透设备专为电子芯片生产全流程设计,提供高纯度、无杂质的生产用水,适配芯片光刻、蚀刻、封装等核心工序,解决芯片生产中水中微量离子、有机物、颗粒物等杂质导致的芯片性能下降、良品率降低等问题,满足电子...

基础参数:

流量:0.5-50T/H 原水泵功率:0.55-18.5KW 砂滤罐直径:250-3000mm 炭滤罐直径:250-3000mm 阻垢剂药箱:40-500L 高压泵功率:1.1-45KW 管路材质:UPVC,不锈钢 精密过滤器芯数:3-65芯

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产品介绍

反渗透设备专为电子芯片生产全流程设计,提供高纯度、无杂质的生产用水,适配芯片光刻、蚀刻、封装等核心工序,解决芯片生产中水中微量离子、有机物、颗粒物等杂质导致的芯片性能下降、良品率降低等问题,满足电子级纯水标准,助力芯片生产提质增效,适配中高端芯片规模化生产需求。

工作原理

采用二级反渗透(RO)核心工艺,搭配预处理(石英砂过滤+活性炭过滤+精密过滤)和后处理(EDI深度除盐)系统,利用半透膜的选择性透过原理,在高压驱动下,使原水(自来水/软化水)中的水分子透过反渗透膜,而水中的离子、有机物、悬浮物、微生物等杂质被膜截留并随浓水排出;通过多级过滤与深度除盐协同作用,去除水中99.9%以上的杂质,最终产出符合电子芯片生产要求的高纯度纯水,全程自动化控制,确保出水水质稳定。

技术参数

1.  产水量:5-50m³/h(可定制); 2.  出水水质:电导率≤0.1μS/cm,电阻率≥10MΩ·cm,SiO₂≤20μg/L,颗粒物(≥0.2μm)≤1个/mL; 3.  反渗透膜:进口陶氏/海德能CPA3-LD,脱盐率≥99.8%; 4.  操作压力:1.0-1.5MPa; 5.  进水要求:浊度≤1NTU,SDI≤5,余氯≤0.1mg/L,水温5-45℃; 6.  运行功率:15-120kW(根据产水量定制); 7.  控制方式:PLC全自动控制,配备触摸屏操作,支持远程监控与故障报警。

性能优势

1.  出水纯度高,严格契合电子芯片生产电子级纯水标准,有效避免杂质对芯片光刻、蚀刻工序的影响,提升芯片良品率; 2.  采用进口反渗透膜,脱盐率高、使用寿命长,抗污染能力强,适配芯片生产长期连续运行需求; 3.  预处理+二级RO+EDI组合工艺,水质稳定性强,可应对进水水质波动,确保出水指标持续达标; 4.  全自动运行,无需人工值守,配备故障报警、自动冲洗、停机保护等功能,运维成本低; 5.  能耗低,相比传统蒸馏法,节水节电30%以上,契合电子行业节能降耗需求; 6.  结构紧凑,占地面积小,可灵活安装于芯片生产车间设备间,适配车间场地规划; 7.  材质耐腐蚀,与水接触部件采用316L不锈钢,无二次污染,保障生产用水安全。

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